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您現(xiàn)在的位置：首頁(yè)>產(chǎn)品展示>工業(yè)分析>半導(dǎo)體光學(xué)參數(shù)檢測(cè)
固體的能帶結(jié)構(gòu)主要分為導(dǎo)帶、價(jià)帶和禁帶三部分，原子中最外層電子稱(chēng)為價(jià)電子，價(jià)電子所占據(jù)的能帶稱(chēng)為價(jià)帶；比價(jià)帶能量更高的允許帶稱(chēng)為導(dǎo)帶；在價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的范圍是電子無(wú)法占據(jù)的，這一范圍稱(chēng)為禁帶。
材料想要導(dǎo)電，就需要價(jià)帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶中，形成可以自由移動(dòng)的電子。電子需要躍遷的距離就是禁帶寬度。
物體要導(dǎo)電，就必須在導(dǎo)帶中存在可以移動(dòng)的自由電子。因此，我們可以猜想：禁帶寬度越窄的物體，電子就越容易發(fā)生躍遷，因此就越容易導(dǎo)電。相反，禁帶寬度越寬的物體，電子躍遷所需要的能量就越高，因此就越不容易發(fā)生電子躍遷而導(dǎo)電。
那事實(shí)是不是和我們猜想的一樣呢？讓我們分別來(lái)看一下導(dǎo)體、半導(dǎo)體、寬禁帶半導(dǎo)體、超寬禁帶半導(dǎo)體和絕緣體的禁帶寬度，如下圖所示。
從圖中我們可以看出，導(dǎo)體的價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶的底部挨在了一起，即導(dǎo)體的禁帶寬度為0。因此，導(dǎo)體不需要外部能量，價(jià)帶中的電子就可以移動(dòng)到導(dǎo)帶中，從而導(dǎo)電。
絕緣體的價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的距離最遠(yuǎn)，遠(yuǎn)到電子基本無(wú)法獲得足夠的能量發(fā)生躍遷。
半導(dǎo)體的禁帶寬度介于導(dǎo)體和絕緣體之間。
寬禁帶半導(dǎo)體就是禁帶寬度大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體的一種半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SIC）和氮化鎵（GAN）。如果禁帶寬度再寬一點(diǎn)，就被稱(chēng)為超寬禁帶半導(dǎo)體，如氮化鋁鎵（AlGaN）、氧化鎵（Ga2O3）等。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，和氮化鎵（GaN）都具有寬禁帶寬度的特性，被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料Si和寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC、GaN的對(duì)比如下圖所示。
從圖中我們可以看出，半導(dǎo)體Si的禁帶寬度為1.12電子伏特，而寬禁帶半導(dǎo)體SiC禁帶寬度為3.23電子伏特，寬禁帶半導(dǎo)體GaN的禁帶寬度和SiC差不多為3.42電子伏特。正是因?yàn)镾iC和GaN具有更寬的禁帶寬度，從而使其擁有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，從上表中可以看出，SiC和GaN的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度大約是Si的10倍左右，因此寬禁帶半導(dǎo)體器件的工作電壓更高，體積更小。
SiC的熱導(dǎo)率為4.0，而SI的導(dǎo)熱率只有1.5，因此SIC的散熱性能更好，擁有更優(yōu)良的耐高溫性能，有助于提高系統(tǒng)的整體功率密度。但我們也看到了氮化鎵（GaN）的熱導(dǎo)率只有1.3，因此這就決定了GaN半導(dǎo)體器件工作的功率沒(méi)有SiC半導(dǎo)體器件工作的溫度高。
飽和電子漂移速率是指半導(dǎo)體中電子漂移速度的最大值，當(dāng)電子漂移速度達(dá)到該值時(shí)，即使再增大電場(chǎng)強(qiáng)度，電子的漂移速度也不會(huì)再增加。高飽和電子漂移速率的半導(dǎo)體材料在高頻、高速信號(hào)的處理中有出色的表現(xiàn)。從上表可以看出，GaN的飽和電子漂移速率為2.5，比Si和SiC都大，因此GaN半導(dǎo)體器件常常應(yīng)用于更高頻率的場(chǎng)合。
除此之外，寬禁帶半導(dǎo)體在輻射環(huán)境下的穩(wěn)定性要遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)的SI基芯片，擁有優(yōu)異的抗輻射能力和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。
通過(guò)對(duì)比，寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相較于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料硅（Si）擁有更高的臨界電場(chǎng)強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更大的飽和電子漂移速率，材料性能可以說(shuō)是單方面碾壓傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅（Si）。寬禁帶半導(dǎo)體材料的這些優(yōu)異性能，使得利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制作的半導(dǎo)體功率器件更能滿足現(xiàn)代工業(yè)對(duì)于高功率、高電壓、高頻率、小體積的需求。
寬禁半導(dǎo)體帶材料的帶隙較大，擊穿電場(chǎng)較高。需要上千伏高壓進(jìn)行測(cè)試。
寬禁帶半導(dǎo)體材料是高流器件的制備材料，需要用到幾十安培的高流進(jìn)行測(cè)試。
四線法及霍爾效應(yīng)測(cè)試均是加流測(cè)壓的過(guò)程，需要設(shè)備能輸出電流并且測(cè)試電壓。
電阻率及電子遷移率通常范圍較大，需要電流電壓范圍都很大的設(shè)備。
電流源和電壓表精度要高，保證測(cè)試的準(zhǔn)確性。
發(fā)光角度的差異：針對(duì)AlN的發(fā)光波段（200-210nm），沒(méi)有合適的濾光片濾除激光，且AlN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn)，其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光
我司研發(fā)的DUVL900 深紫外超寬禁帶半導(dǎo)體熒光測(cè)試系統(tǒng)，基于我司20年左右的第三代半導(dǎo)體表征測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，可以有效地對(duì)寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料例如AlN和AlGaN等進(jìn)行熒光激發(fā)。
以鎖模鈦寶石激光器作為基頻光源，經(jīng)過(guò)多級(jí)倍頻/和頻來(lái)產(chǎn)生195nm的深紫外激光。受非線性晶體相位匹配條件的限制，常用的紫外倍頻晶體BBO直接倍頻產(chǎn)生的激光波長(zhǎng)>205nm,但BBO晶體可支持和頻的方式獲得200nm波長(zhǎng)以下的激光。因此擬采用倍頻+兩級(jí)和頻的方式來(lái)獲得所需的195nm激光，方案示意圖如圖1所示。780nm左右的基頻光首先經(jīng)倍頻獲得二倍頻激光脈沖（390nm），然后二倍頻激光再與剩余基頻光和頻獲得三倍頻脈沖（260nm），三倍頻脈沖再與基頻光和頻產(chǎn)生四倍頻紫外激光（195nm）。另外由于脈沖較短，激光在倍頻與傳輸過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生較大的群速走離，影響后續(xù)和頻的效率，因此在每個(gè)和頻單元需要加入延遲線來(lái)補(bǔ)償不同波長(zhǎng)光束之間產(chǎn)生的群速延遲，以保持脈沖之間的同步。
（1）波長(zhǎng)：780 nm
（2）脈沖寬度：~100 fs（或根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整）
（3）重復(fù)頻率：80 MHz（或根據(jù)實(shí)際需求調(diào)整）
（4）光束質(zhì)量：M <1.3
（5）功率：~2.5W（取決于對(duì)195NM激光功率的需求，2.5W基頻光對(duì)應(yīng)于約4mW
的195nm激光功率）
（2）輸出功率
195 nm激光輸出功率約4 mW（基頻功率>2.5W@780nM）
光學(xué)部分如圖 1所示，由適配冷熱臺(tái)的顯微鏡模組、耦合光路模組、激發(fā)和收集模組(190nm-550 nm)、單色儀和TCSPC系統(tǒng)和側(cè)面收集模組構(gòu)成。
顯微鏡模組配備適配190-600nm的紫外物鏡，可將激光聚焦成約2微米的光斑后激發(fā)樣品熒光或光電流，從而大大提高激發(fā)功率密度，以獲得較強(qiáng)的熒光信號(hào)。顯微鏡可在顯微成像和熒光光譜兩種模式下切換，用戶可以通過(guò)聚焦到樣品的顯微像確認(rèn)熒光收集區(qū)域、激光光斑聚焦和收集光路的對(duì)準(zhǔn)等。
耦合光路模組將激光和物鏡收集的熒光傳輸?shù)郊ぐl(fā)和收集模組（190nm-550nm），通過(guò)長(zhǎng)波通濾光片將195nm的激光和熒光分離，190nm-550nm的熒光進(jìn)入單色儀入口1收集，通過(guò)時(shí)間分辨單光子系統(tǒng)（TCSPC）中的PMT獲得熒光信號(hào)強(qiáng)度，通過(guò)光柵逐步長(zhǎng)掃描獲得光譜，通過(guò)TCSPC系統(tǒng)獲得光譜的熒光壽命。
針對(duì)AlN的發(fā)光波段（200-210nm），沒(méi)有合適的濾光片濾除激光，且AlN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn)，其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光，因此設(shè)置側(cè)面收集模組，將側(cè)面發(fā)出的熒光（200-550nm）通過(guò)一個(gè)單獨(dú)傾斜60度角的物鏡收集后，通過(guò)光纖傳入單色儀入口2進(jìn)行收集和測(cè)量。
樣品位于可變溫-190~600℃(標(biāo)配）與10K~300K（可選）冷熱臺(tái)中，可通過(guò)光窗進(jìn)行光激發(fā)和收集。為了對(duì)樣品進(jìn)行聚焦，將冷熱臺(tái)置于手動(dòng)XYZ平移臺(tái)上，可在小范圍內(nèi)對(duì)樣品進(jìn)行選區(qū)和通過(guò)調(diào)節(jié)Z軸進(jìn)行聚焦，具體的調(diào)節(jié)方式是：變溫臺(tái)實(shí)現(xiàn)XY方向調(diào)整，Z軸由物鏡升降實(shí)現(xiàn)。
強(qiáng)大的光路穩(wěn)定性：取消了傳統(tǒng)意義上的顯微鏡周邊冗余，更加貼合光路穩(wěn)定性要求比較高的未來(lái)應(yīng)用場(chǎng)景
無(wú)限拓展的可能性：顯微鏡光路，熒光，RAMAN，振鏡掃描光電流光路，不同波長(zhǎng)的熒光與RAMAN測(cè)試，依次并聯(lián)，無(wú)限拓展
定量測(cè)試的高準(zhǔn)確度：激光功率校準(zhǔn)集成在顯微鏡模組中，通過(guò)測(cè)量激光采樣鏡獲取的少量激光光強(qiáng)，可作為激光功率的實(shí)時(shí)校準(zhǔn)和參考，并通過(guò)集成在熒光和拉曼模組中的連續(xù)衰減片調(diào)節(jié)光強(qiáng)。
更多的功能實(shí)現(xiàn)：熒光光強(qiáng)對(duì)于激發(fā)功率密度非常敏感，要準(zhǔn)確的比較不同樣品的熒光光強(qiáng)，需要應(yīng)用翹曲度模組通過(guò)自動(dòng)對(duì)焦，固定激發(fā)光斑的大小，同時(shí)通過(guò)激光功率校準(zhǔn)來(lái)固定激發(fā)光強(qiáng)，最終保證了顯微共聚焦熒光光強(qiáng)的穩(wěn)定性和可比較性。
· 統(tǒng)一的軟件平臺(tái)和模塊化設(shè)計(jì)
· 良好的適配不同的硬件設(shè)備：平移臺(tái)、顯微成像裝置、光譜采集設(shè)備、自動(dòng)聚焦裝置等
· 成熟的功能化模塊：晶圓定位、光譜采集、掃描成像Mapping、3D層析，Raman Mapping，F(xiàn)LIM，PL Mapping，光電流Mapping等。
· 智能化的數(shù)據(jù)處理模組：與數(shù)據(jù)擬合、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等結(jié)合的在線或離線數(shù)據(jù)處理模組，將光譜解析為成分、元素的分布等，為客戶提供直觀的結(jié)果。可根據(jù)客戶需求定制光譜數(shù)據(jù)解析的流程和模組
· 可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制化的界面設(shè)計(jì)和定制化的RECIPE流程設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的采集和數(shù)據(jù)處理功能。
顯示：針對(duì)光譜Mapping數(shù)據(jù)的處理，一次性操作，可對(duì)整個(gè)圖像數(shù)據(jù)中的每一條光譜按照設(shè)定進(jìn)行批處理，獲得對(duì)應(yīng)的譜峰、壽命、成分等信息，并以偽彩色或3D圖進(jìn)行顯示。
自主開(kāi)發(fā)的一套時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(TCSPC)熒光壽命的擬合算法，主要特色
1.從上升沿?cái)M合光譜響應(yīng)函數(shù)(IRF)，無(wú)需實(shí)驗(yàn)獲取。
2.區(qū)別于簡(jiǎn)單的指數(shù)擬合，通過(guò)光譜響應(yīng)函數(shù)卷積算法獲得每個(gè)組分的熒光壽命，光子數(shù)比例，計(jì)算評(píng)價(jià)函數(shù)和殘差，可扣除積分和響應(yīng)系統(tǒng)時(shí)間不確定度的影響，獲得更加穩(wěn)定可靠的壽命數(shù)值。
3.*多包含4個(gè)時(shí)間組分進(jìn)行擬合。
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